天津大学纳米中心半导体石墨烯研究取得新突破

复兴网天津讯：天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授及其科研团队，日前在半导体石墨烯领域取得了显著进展。该团队的研究成果《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》，成功地攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题，打开了石墨烯带隙，实现了从“0”到“1”的突破，这一突破被认为是开启石墨烯芯片制造领域大门的重要里程碑。该项成果已于2024年1月3日在《自然》（Nature）杂志网站上在线发布。